发明名称 |
一种制备铜铟碲薄膜的方法 |
摘要 |
一种制备铜铟碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、TeO2放入溶剂中,并调整pH值,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,得到铜铟碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铟碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。 |
申请公布号 |
CN103390692A |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201310301206.3 |
申请日期 |
2013.07.09 |
申请人 |
山东建筑大学 |
发明人 |
刘科高;张力;李静;石磊;许斌 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制备铜铟碲薄膜的方法,包括如下顺序的步骤: a.玻璃基片的清洗; b将0.8~1.5份CuCl2·2H2O、1.4~2.6份InCl3·4H2O和1.5~2.8份TeO2放入30~150份的溶剂中均匀混合; c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品; d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有1.791份水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间10~20小时,然后冷却到室温取出; e.将步骤d所得产物,进行干燥,得到铜铟碲薄膜。 |
地址 |
250101 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学 |