发明名称 |
基于功率场效应管导通电阻的直流电流过流智能保护器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种基于功率场效应管导通电阻的直流电流过流智能保护器,所述直流电流过流智能保护器采用MOSFET开关器作为开关器件,电流的输入端与电流输出端之间接有多个MOSFET开关器;电流的输入端还连接到输入输出隔离电源,该隔离电源分别连接驱动电源和逻辑电源,该隔离电源并且同时接地;多个MOSFET开关器依次通过MOSFET导通电压检测、低功耗微处理器及MOSFET驱动反馈到自身。本实用新型特别是对于大电流保护场合,响应速度快。便于提高整个系统可靠性。本实用新型提出的基于功率场效应管导通电阻的直流电流过流保护器是一种智能开关保护器,可以编程设定保护门限、保护响应时间,自动恢复延迟时间,定时开关电路等。该直流电流过流保护器全由电子器件实现,便于批量生产生产,取代传统直流过流保护开关。 |
申请公布号 |
CN203289068U |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201320057833.2 |
申请日期 |
2013.02.01 |
申请人 |
重庆师范大学 |
发明人 |
兰晓红;马燕;付智宇 |
分类号 |
H02H3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02H3/08(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于功率场效应管导通电阻的直流电流过流智能保护器,其特征在于,所述直流电流过流智能保护器采用MOSFET开关器作为开关器件,电流的输入端与电流输出端之间接有多个MOSFET开关器;电流的输入端还连接到输入输出隔离电源,该隔离电源分别连接驱动电源和逻辑电源,该隔离电源并且同时接地;多个MOSFET开关器依次通过MOSFET导通电压检测、低功耗微处理器及MOSFET驱动反馈到自身。 |
地址 |
401331 重庆市沙坪坝区大学城重庆师范大学计算机与信息科学学院 |