小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列

摘要

本发明系揭露一种小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列，包含复数条平行之位元线、字线与共源线，此些位元线区分为复数组位元线，其包含一第一组、第二组位元线，字线包含一第一字线，共源线包含一第一共源线。另有复数子记忆体阵列，每一子记忆体阵列包含与二组位元线、一字线与一共源线连接之一第一、第二、第三、第四记忆晶胞，其中第一、第二记忆晶胞对称配置，第三、第四记忆晶胞对称配置，且第一、第二记忆晶胞与第三、第四记忆晶胞系以第一共源线分别对称配置。本发明可大幅降低面积成本，并达到位元组写入(byte write)的功能。