| 摘要 |
一种利用在此同一波长光源临场监测感光或含碳氢成分之薄膜材料抗极紫外光(EUV)辐射性的量测方法，其是在一真空腔室系统中利用一EUV光源先对感光或含碳氢成分之底层等薄膜材料进行低剂量转动扫瞄，以取得薄膜材料之镜面反射率变化曲线及推知其光学参数(n、k、T)起始值，接着并在同一真空腔室系统中利用同一波长的EUV光源在一固定低掠角范围内对薄膜材料进行多次扫描曝光，并累积至一过曝之曝光剂量，以临场监测取得薄膜材料之反射率曲线及全反射临界角变化；最后再对低掠角过曝区域进行低剂量镜面扫瞄，以取得薄膜材料之光学参数(n、k、T)最终值，而与起始值比对得到膜厚损失，以供评估薄膜材料的抗EUV辐射性。 |
