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发明名称
半导体发光装置及其制造方法
摘要
根据一实施例,一半导体发光装置包含一半导体堆叠、一第一电极、一第二电极、一第一互连、一绝缘膜,以及一第二互连。半导体堆叠包含一第一主要表面、一设置于与第一主要表面相对之一侧上的第二主要表面、一侧面、以及一发光层。第一电极是设置于第一主要表面上。第二电极是至少设置于第二主要表面的一周边部份上。第一互连是设置于第一电极上。绝缘膜是设置于该半导体堆叠的该侧面上。第二互连是经由该绝缘膜而设置于该半导体堆叠的该侧面上。第二互连是连接至位于该半导体堆叠之第二主要表面周边部份外侧的第二电极上。
申请公布号
TWI415310
申请公布日期
2013.11.11
申请号
TW099129339
申请日期
2010.08.31
申请人
东芝股份有限公司 日本
发明人
秋元阳介;小岛章弘;猪塚幸;杉崎吉昭
分类号
H01L33/62
主分类号
H01L33/62
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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