| 摘要 |
<p>Polykristallines Siliciumgranulat, umfassend eine kompakte Matrix, enthaltend nadelig-radialstrahlige Kristallaggregate einer Kristallitgröße von 0,001 bis 200μm auf. Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Siliciumgranulates, umfassend Erzeugung von Siliciumgranulat in einem Wirbelschichtreaktor aus einem Gasgemisch, enthaltend TCS und Wasserstoff mit einem TCS-Anteil von 20 bis 29 mol%, bei einer Wirbelschichttemperatur von 900–970°C, Teilen des dabei erhaltenen Siliciumgranulats an einer Siebanlage enthaltend mindestens ein Siebdeck in mindestens zwei oder mehr Siebfraktionen, wobei die kleinste Siebfraktion in einer Mahlanlage zu Seedpartikeln mit einer Größe von 100 bis 1500μm und einem massenbezogenen Medianwert im Bereich 400 bis 900μm gemahlen wird und wobei diese Seedpartikel Wirbelschichtreaktor (1) zugeführt werden, wobei eine weitere Siebfraktion einem Wirbelschichtreaktor (4) zugeführt wird, die mit einem Gasgemisch, enthaltend TCS und Wasserstoff mit einem TCS-Anteil von 5,1 bis weniger als 10 mol% bei einer Wirbelschichttemperatur von 870–990°C oberflächenbehandelt wird.</p> |
