发明名称 |
频率变换设备和频率变换方法 |
摘要 |
本发明提供了一种频率变换装置,其使用磁阻装置并由此能够与硅基MMIC和GaAs基MMIC相对应。根据本发明的频率变换设备包括:频率变换装置,其包括具有磁化自由层、中间层和磁化固定层的磁阻装置;磁场施加机构,用于向频率变换装置施加磁场;本地振荡器,用于向频率变换装置施加本地振荡信号;以及输入端子,其电连接至频率变换装置并用于输入外部输入信号。 |
申请公布号 |
CN102017398B |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN200980100883.0 |
申请日期 |
2009.04.17 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
前原大树 |
分类号 |
H03D7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03D7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;陈立航 |
主权项 |
一种频率变换设备,包括:磁阻装置,其包括磁化自由层、中间层和磁化固定层;输入端子,用于将第一频率的输入信号从外部输入至所述磁阻装置;本地振荡器,用于将第二频率的本地振荡信号输入至所述磁阻装置;以及磁场施加部,用于向所述磁阻装置施加外部磁场;其中,所述频率变换设备用于通过由所述磁阻装置中的磁化自由层的磁化进动所引起的电阻变化输出所述第一频率与所述第二频率之间的差分信号,或者输出所述第一频率与所述第二频率的和信号。 |
地址 |
日本神奈川县 |