发明名称 一种用于固态真三维体积式显示的体素数据重构方法
摘要 本发明公开了一种用于固态真三维体积式显示的体素数据重构方法,其特征是所述方法是基于FPGA控制器和SDRAM存储器;所述SDRAM存储器包含有若干存储阵列,每个存储阵列包含有若干存储行,每个存储行包含有若干列存储单元;采用基于存储块和数据掩码DQM的地址映射结构,将立体显示图像存储在SDRAM存储器的特定区域中,以乒乓操作方式轮换读写两片SDRAM存储器,实现立体显示图像的体素数据重构。本发明提高了等效总线带宽,降低了系统整体工作频率,减小了系统设计难度,简化了地址变量的设计,提高了系统设计的灵活性。
申请公布号 CN102497567B 申请公布日期 2013.11.06
申请号 CN201110401321.9 申请日期 2011.12.06
申请人 合肥工业大学 发明人 方勇;吕国强;胡跃辉;冯奇斌
分类号 H04N13/00(2006.01)I;H04N13/04(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I 主分类号 H04N13/00(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 何梅生
主权项 一种用于固态真三维体积式显示的体素数据重构方法,其特征是所述方法是基于FPGA控制器和SDRAM存储器;所述SDRAM存储器包含有若干存储阵列,每个存储阵列包含有若干存储行,每个存储行包含有若干列存储单元;采用基于存储块和数据掩码DQM的地址映射结构,将立体显示图像存储在SDRAM存储器的特定区域中,以乒乓操作方式轮换读写两片SDRAM存储器,实现立体显示图像的体素数据重构;所述基于存储块和数据掩码DQM的地址映射结构为:若立体显示图像由N层切片图像组成, N为整数,设满足不等式N≦2X的X的最小整数值为M,且SDRAM存储器的每一个存储行包含有2W个存储单元,W为整数,则将每一个存储行中的存储单元按先后顺序依次等分为2W‑M块,其中每一块中的前N个存储单元构成一个存储块;将所述存储块中的每一个存储单元的按位宽四等分,最低若干位记为LL子存储单元,次低若干位记为LH子存储单元,次高若干位记为HL子存储单元,最高若干位记为HH子存储单元,每一个子存储单元对应存储一个体素的灰度值;相应的,每一存储块被四等分,分别记为LL子存储块、LH子存储块、HL子存储块和HH子存储块;通过数据掩码DQM控制,在写操作时选择将数据写入其中一个子存储单元,而保持其他子存储单元里的数据不变;所述乒乓操作方式为:所述两片做乒乓操作的SDRAM分别记为第一SDRAM和第二SDRAM;所述乒乓操作是在一个循环周期内完成以下操作步骤,并在下一个循环周期切换第一SDRAM和第二SDRAM的操作方式:a、在第一SDRAM中构造背景体素,是将第一SDRAM中的预定数量的存储块内容写入零数据;写入时,按原始数据位宽进行,每次操作将四个子存储单元的内容清零;b、步骤a执行完毕后,将一帧三维编码图像写入第一SDRAM中的存储块,对背景体素进行体素填充;所述将一帧三维编码图像写入第一SDRAM中的存储是根据三维编码图像中每个像素的行地址、列地址和该像素所包含的深度地址,将该像素的灰度值写入对应的存储单元,覆盖原先写入的零数据;写入时,将三维编码图像每一行的所有像素按先后顺序每四个记为一组,每一组中的四个像素的灰度值在数据掩码DQM信号的控制下以1/4的原始数据位宽被分别写入LL子存储块、LH子存储块、HL子存储块和HH子存储块;c、从第二SDRAM中读取上一个循环周期构造好的体素数据,FPGA控制器从第一层切片图像的体素数据开始,顺序读取N层切片图像的体素数据进入后级处理模块;读取时,按原始数据位宽进行,每次读取操作将四个体素数据读出。
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