| 发明名称 | 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底；一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接，并位于两条金属电流引线之间；一金属分流器，制作在绝缘衬底上，位于半导体材料层的一侧并与之连接；一绝缘层，制作在半导体材料层上；一永磁层，制作在绝缘层上，该永磁层具有垂直磁各向异性；一保护层制作在永磁层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102520377B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201110459389.2 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 尹志岗;张兴旺;吴金良;付振;张汉 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I;G01R3/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种增强型半导体‑金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底;一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上;两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接;两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接，并位于两条金属电流引线之间;一金属分流器，制作在绝缘衬底上，位于半导体材料层的一侧并与之连接;一绝缘层，制作在半导体材料层上;一永磁层，制作在绝缘层上，该永磁层具有垂直磁各向异性;一保护层，制作在永磁层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||