硅外延膜厚测量方法及装置

摘要

本发明涉及一种外延膜厚测量方法，采用两探头厚度量测设备对外延片外延前的厚度进行测量得到外延前外延片的厚度值，采用两探头厚度量测设备对相同外延片外延后的厚度进行测量得到外延后外延片的厚度值，用测量到的外延后外延片的厚度值减去测量到的外延前外延片的厚度值，计算差值得出外延膜厚。本发明对硅片衬底掺杂浓度无特殊要求，硅片的衬底无需采用重掺衬底，降低了部分工艺的成本，避免了重掺衬底中的杂质对外延腔体造成污染，消除了对后面的轻掺衬底轻掺外延工艺的影响，同时无需额外增加成本，并可与现有的外延层平整度测试流程兼容。

主权项

一种外延膜厚测量方法，包括如下步骤：采用两探头厚度量测设备对外延片外延前的厚度进行测量得到外延前外延片的厚度值；所述两探头分别位于所述外延片的两侧，所述两探头之间的距离为固定值，所述外延片的厚度为所述两探头之间的距离减去两探头与所述外延片的间距之和；采用两探头厚度量测设备对相同外延片外延后的厚度进行测量得到外延后外延片的厚度值；用测量到的外延后外延片的厚度值减去测量到的外延前外延片的厚度值，计算差值得出外延膜厚；移动所述两探头测量所述外延片各处厚度。