发明名称 多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法
摘要 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时,受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响,除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后,从复合层叠体除去收缩抑制层时,减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度,藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同,从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力,抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。
申请公布号 CN101668620B 申请公布日期 2013.11.06
申请号 CN200880013670.X 申请日期 2008.12.08
申请人 株式会社村田制作所 发明人 斋藤善史
分类号 B28B11/00(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I 主分类号 B28B11/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 冯雅;胡烨
主权项 一种多层陶瓷基板的制造方法,包括:准备复合层叠体的工序,该复合层叠体包括生陶瓷层叠体以及第一及第二收缩抑制层,所述生陶瓷层叠体是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层层叠而成的层叠体,所述第一及第二收缩抑制层分别配置于所述陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上,且含有在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料的粉末;烧成工序,在该烧成工序中,在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结、并且分别沿着所述陶瓷生坯层与所述第一收缩抑制层的界面以及所述陶瓷生坯层与所述第二收缩抑制层的界面使所述低温烧成陶瓷材料与所述无机材料彼此发生化学反应而生成第一及第二反应层的烧成条件下,对所述复合层叠体进行烧成;以及除去工序,在该除去工序中,在所述烧成工序后,从所述复合层叠体除去所述第一及第二收缩抑制层;还包括在所述陶瓷层叠体的所述第一及第二主面上分别形成第一及第二表面导体膜的工序,所述第二表面导体膜的面积小于所述第一表面导体膜的面积;所述除去工序包括减少所述第一及第二反应层中的至少一层的厚度,藉此使所述第二反应层的厚度小于所述第一反应层的厚度,在所述除去工序中,使分别位于第一及第二非导体形成区域上的所述第一及第二反应层各自的体积彼此实质上相同。
地址 日本京都府