发明名称 |
制造接触接合垫的方法及半导体器件 |
摘要 |
一种制造接触接合垫的方法及半导体器件。所述方法包括:在半导体衬底中依次形成隔离区及有源区,由隔离区对有源区进行分隔,每个有源区包括一个或多个接触区,在接触区之间形成凸起结构,在凸起结构上依次形成覆盖层、绝缘体层及光致抗蚀剂层,并去除光致抗蚀剂层的一部分以形成连续线型开口,去除开口内的绝缘体层、覆盖层及部分半导体衬底,沉积导电填充材料并执行平坦化工艺,从而形成位于凸起结构间的接触接合垫。 |
申请公布号 |
CN101996930B |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN200910056718.1 |
申请日期 |
2009.08.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
王娉婷;杨承;李承赫;吴金刚 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种半导体器件制造接触接合垫的方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底中形成隔离区;在半导体衬底中形成多个有源区,所述有源区由隔离区分隔,每个有源区包括一个或多个接触区;形成多个预定高度的凸起结构,所述凸起结构位于各个接触区之间;沉积覆盖层;在覆盖层上形成绝缘体层;在绝缘体层上形成光致抗蚀剂层;去除光致抗蚀剂层的一部分以形成连续线型开口,所述连续线型开口暴露了绝缘体层的至少位于接触区上的部分;去除光致抗蚀剂的连续线型开口中被暴露的绝缘体层;去除覆盖层的一部分以暴露接触区处的半导体衬底;去除预定厚度的被暴露的半导体衬底;去除剩余的光致抗蚀剂层;沉积导电填充材料;以及通过将位于每个凸起结构上的覆盖层用作抛光停止层来对导电填充材料和绝缘体层执行化学机械抛光工艺,从而形成多个接触接合垫,由所述凸起结构对所述多个接触接合垫进行分隔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |