| 发明名称 |
矽膜研磨用ＣＭＰ研磨浆以及研磨方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种研磨用组成物，是将矽膜研磨用CMP研磨浆制成含有研磨粒、氧化剂、阳离子性界面活性剂以及水的研磨用组成物，可获得优异的平坦性以及残留膜厚控制性，从而可提高半导体元件的良率以及可靠性并且可降低制造成本，适用于半导体元件的矽膜的CMP步骤中。 |
| 申请公布号 |
TWI413680 |
申请公布日期 |
2013.11.01 |
| 申请号 |
TW097122580 |
申请日期 |
2008.06.17 |
| 申请人 |
日立化成股份有限公司 日本 |
发明人 |
成田武宪 |
| 分类号 |
C09K3/14;H01L21/304;H01L21/8242 |
主分类号 |
C09K3/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
