| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein optisches Element (15), umfassend: ein Substrat (30), eine reflektive Beschichtung (31), sowie mindestens eine aktive Schicht (34), die ein magnetostriktives Material aufweist. Das optische Element (15) weist mindestens eine magnetisierbare Schicht (35) auf, die zur Erzeugung eines magnetischen Feldes in der mindestens einen aktiven Schicht (34) ein permanentmagnetisches Material aufweist, und/oder das optische Element weist mindestens eine erste aktive Schicht mit einem Material mit positiver Magnetostriktion und mindestens eine zweite aktive Schicht mit einem Material mit negativer Magnetostriktion auf, wobei die Schichtdicken sowie die Schichtmaterialien der aktiven Schichten so gewählt sind, dass sich durch ein magnetisches Feld erzeugte mechanische Spannungsänderungen oder Längenänderungen der aktiven Schichten gegenseitig kompensieren. Die Erfindung betrifft auch ein optisches Element, welches ein Substrat (30), eine reflektive Beschichtung für die Reflexion von EUV-Strahlung mit einer Mehrzahl von Schichtpaaren mit alternierenden Schichten (33a, 33b) aus einem hoch brechenden Material und einem niedrig brechenden Material sowie mindestens eine aktive Schicht aus einem magnetostriktiven Material aufweist, welche innerhalb der reflektiven Beschichtung (31) gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner eine optische Anordnung, insbesondere eine EUV-Lithographieanlage, die mindestens ein solches optisches Element (15) aufweist.</p> |
