| 摘要 |
<p>Mit der vorliegenden Erfindung wird ein einfaches und kostengünstiges Herstellungsverfahren für hybrid integrierte Bauteile mit einem sehr hohen Miniaturisierungsgrad vorgeschlagen. Das hybrid integrierte Bauteil soll mindestens zwei MEMS-Bauelemente (120, 220) umfassen, denen jeweils mindestens ein ASIC-Bauelement (110, 210) zugeordnet ist. Erfindungsgemäß werden zunächst unabhängig voneinander zwei MEMS/ASIC-Waferstacks (100, 200) erzeugt, indem zwei ASIC-Substrate (110, 210) voneinander unabhängig prozessiert werden, auf der prozessierten Oberfläche jedes der beiden ASIC-Substrate (110, 210) ein Halbleitersubstrat (120, 220) montiert wird, und danach in jedem der beiden Halbleitersubstrate (120, 220) eine mikromechanische Struktur erzeugt wird. Die beiden MEMS/ASIC-Waferstacks (100, 200) werden dann MEMS gegen MEMS aufeinander montiert. Erst danach werden die Bauteile vereinzelt.</p> |
