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Halbleitersensor zur Erfassung einer dynamischen Größe, der in einer über einem Trägersubstrat (11) angeordneten Halbleiterschicht (12) ausgebildet ist, wobei der Halbleitersensor umfasst: beweglichen Teile (30, 40), die in einer vorbestimmten Richtung über dem Trägersubstrat (11) verlagerbar sind; und einen Balkenabschnitt (50) zur Verbindung des Trägersubstrats (11) mit den beweglichen Teilen (30, 40), wobei der Balkenabschnitt (50) wenigstens drei Balken (51, 52, 53) umfasst, die jeweils einen ersten und einen zweiten Endabschnitt aufweisen und parallel zueinander angeordnet sind, wobei die ersten Endabschnitte über einen Verbindungsabschnitt (55) miteinander verbunden sind, und wobei sich die wenigstens drei Balken (51, 52, 53) in einer zu ihrer Längsrichtung senkrechten Richtung biegen, wobei zwei äußere Balken (51, 52) der wenigstens drei Balken (51, 52, 53) die gleiche Länge aufweisen und an ihren zweiten Endabschnitten an dem Trägersubstrat (11) befestigt sind, und wobei die beweglichen Teile (30, 40) jeweils mit den entsprechenden zweiten Endabschnitten des mittleren Balkens (53) der wenigstens drei Balken (51–53) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass: die zwei äußeren Balken (51, 52) und der Verbindungsabschnitt (55) durch einen Parameter (A/B)/(T/L) definiert sind, der wenigstens 20 beträgt, wobei L die Länge der zwei äußeren Balken (51, 52), T die Breite der zwei äußeren Balken (51, 52), B die Breite des Verbindungsabschnitts (55) und A die Dicke des Verbindungsabschnitts (55) bedeuten.
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