| 发明名称 | 基底和用于制造至少一个功率半导体器件的基底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基底和用于制造至少一个功率半导体器件的基底的方法，该方法具有如下方法步骤：a）提供不导电的绝缘材料体（1）；b）将结构化的导电的第一金属化层（2a）施布在绝缘材料体（1）的第一侧（15a）上，其中，第一金属化层（2a）具有第一和第二区域（22a、22b），其中，第一区域（22a）具有窄导体轨迹（21），而第二区域（22b）具有至少一个宽导体轨迹（20a、20b）；以及c）在至少一个宽导体轨迹（20a、20b）上电沉积第一金属层（5）。本发明提供一种基底（7），该基底不仅具有至少一个能承载负载电流的导体轨迹（25）而且还具有能与集成电路连接的导体轨迹（21）。 | ||
| 申请公布号 | CN103377950A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201310148433.7 | 申请日期 | 2013.04.25 |
| 申请人 | 赛米控电子股份有限公司 | 发明人 | 库尔特-格奥尔格·贝森德费;海科·布拉姆尔;娜蒂娅·埃德纳;克里斯蒂安·约布尔;哈拉尔德·科波拉 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨靖;车文 |
| 主权项 | 一种用于制造至少一个功率半导体器件（18、19）的基底（7）的方法，所述方法具有如下方法步骤：a）提供不导电的绝缘材料体（1）；b）将结构化的导电的第一金属化层（2a）施布在所述绝缘材料体（1）的第一侧（15a）上，其中，所述第一金属化层（2a）具有第一和第二区域（22a、22b），其中，所述第一区域（22a）具有窄导体轨迹（21），而所述第二区域（22b）具有至少一个宽导体轨迹（20a、20b）；以及c）在所述至少一个宽导体轨迹（20a、20b）上电沉积第一金属层（5）。 | ||
| 地址 | 德国纽伦堡 | ||