背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法

摘要

本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。

主权项

一种方法，包括：在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器；在所述半导体衬底的背面上方形成介电层；对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区的每一个都覆盖所述多个图像感器中的一个；在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层；对所述金属层进行蚀刻以去除每个栅格填充区的顶面上的所述金属层，从而在所述多个栅格填充区的侧壁上形成金属栅格；以及将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。