大马士革结构的制作方法

摘要

一种大马士革结构的制作方法，所述制作方法在制作大马士革结构的过程中，先刻蚀介电层以形成全通孔或部分通孔，然后利用包含O2的第一气体刻蚀介电层以形成全沟槽，所述全沟槽由两次或两次以上的刻蚀步骤形成，且在相邻两次刻蚀步骤之间利用包含CH4的第二气体至少对已形成的部分沟槽进行表面处理，表面处理步骤可以补偿介电层中被损耗的碳，使介电层的介电常数不会增大，从而改善了大马士革结构所在集成电路的RC性能。尤其是当介电层为超低k介电材料时，这种效果更为显著。

主权项

一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层为介电常数小于3.9而不小于2.55的低k介电层或介电常数小于2.55的超低k介电层；刻蚀所述介电层，形成部分通孔或全通孔；形成所述部分通孔或全通孔之后，利用包含O2的第一气体对所述介电层进行第一刻蚀，形成部分沟槽；形成所述部分沟槽之后，利用包含CH4的第二气体至少对所述部分沟槽进行表面处理；所述表面处理之后，利用所述第一气体对所述部分沟槽下方的介电层进行第二刻蚀。