发明名称 |
半导体元件的制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种半导体元件的制作方法。首先,提供位于基材上的栅极结构,以及位于栅极结构上的第一氮化物材料层。其次,进行一保护步骤,而在含氧环境下改质该第一氮化物材料层。然后,在基材上形成第二材料层。继续,在保护步骤后进行一移除步骤,而在实质上不削减经改质的第一氮化物材料层的条件下,移除第二氮化物材料层。 |
申请公布号 |
CN103378007A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210126955.2 |
申请日期 |
2012.04.26 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
洪庆文;黄志森;周玲君;王益昌 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种半导体元件的制作方法,包含:提供一基材,该基材上具有一栅极结构以及围绕该栅极结构的一间隙壁;进行一掺杂步骤,并在一光致抗蚀剂的保护下,在该栅极结构的至少一侧的该基材中形成一浅掺杂漏极;进行一剥除步骤,而在一无氧环境下剥除该光致抗蚀剂;以及在该剥除步骤后进行一保护步骤,而在一含氧环境下改质该间隙壁而得到一改质间隙壁。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |