发明名称 |
一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法 |
摘要 |
本发明涉及光栅制作技术领域,公开了一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法,首先在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅;然后采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层;最后洗除光刻胶层,留下沉积在光栅基片上的介质膜层,构成介质膜光栅;在镀膜沉积过程中,介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上,且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。本发明采用Lift-Off原理(剥离技术)制作介质膜光栅,避免了一些硬质膜系材料的刻蚀,同时可以实现较深凹槽深度的介质膜光栅的制作,适用于全息光栅的复制,有利于增加膜层结构的设计及控制光栅衍射效率,提高了光栅制作效率。 |
申请公布号 |
CN103376484A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210105946.5 |
申请日期 |
2012.04.12 |
申请人 |
福州高意光学有限公司 |
发明人 |
林磊;黄富泉;周孝莲;代会娜;李广伟;张新汉 |
分类号 |
G02B5/18(2006.01)I;G02B5/32(2006.01)I;G03H1/18(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 |
福建炼海律师事务所 35215 |
代理人 |
许育辉 |
主权项 |
一种采用Lift‑Off原理制作光栅的方法,包括如下步骤:a)在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅;b)采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层;c)洗除光刻胶层,留下沉积在光栅基片上的介质膜层,构成介质膜光栅;其特征在于:在镀膜沉积过程中,介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上,且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。 |
地址 |
350001 福建省福州市晋安区福新东路253号中航技工业小区 |