发明名称 一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法
摘要 本发明涉及光栅制作技术领域,公开了一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法,首先在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅;然后采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层;最后洗除光刻胶层,留下沉积在光栅基片上的介质膜层,构成介质膜光栅;在镀膜沉积过程中,介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上,且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。本发明采用Lift-Off原理(剥离技术)制作介质膜光栅,避免了一些硬质膜系材料的刻蚀,同时可以实现较深凹槽深度的介质膜光栅的制作,适用于全息光栅的复制,有利于增加膜层结构的设计及控制光栅衍射效率,提高了光栅制作效率。
申请公布号 CN103376484A 申请公布日期 2013.10.30
申请号 CN201210105946.5 申请日期 2012.04.12
申请人 福州高意光学有限公司 发明人 林磊;黄富泉;周孝莲;代会娜;李广伟;张新汉
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G02B5/32(2006.01)I;G03H1/18(2006.01)I 主分类号 G02B5/18(2006.01)I
代理机构 福建炼海律师事务所 35215 代理人 许育辉
主权项 一种采用Lift‑Off原理制作光栅的方法,包括如下步骤:a)在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅;b)采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层;c)洗除光刻胶层,留下沉积在光栅基片上的介质膜层,构成介质膜光栅;其特征在于:在镀膜沉积过程中,介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上,且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。
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