氧化硅薄膜的高温原子层沉积

摘要

公开了以＞500℃的温度形成氧化硅的原子层沉积(ALD)方法。使用的硅前体具有通式：I.R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基和C6-C10芳基；R4选自直链或支链C1-C10烷基、C6-C10芳基和C3-C10烷基甲硅烷基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0-3；n是0-2；和p是0-2且m+n+p＝3；和II.R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基和C6-C10芳基；R3和R4各自独立地选自直链或支链C1-C10烷基和C6-C10芳基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0-3；n是0-2；q是0-2和p是0-2且m+n+p+q＝3。

主权项

将氧化硅薄膜沉积到衬底上的方法，包括步骤：a.在反应器中提供衬底；b.将至少一种硅前体引入所述反应器中；c.用吹扫气体吹扫反应器；d.将氧源引入所述反应器中；和e.用吹扫气体吹扫反应器；和其中重复步骤b至e直到沉积所需厚度的氧化硅；和其中所述方法在500‑800℃的一个或多个温度下和50毫托(mT)‑760托的一个或多个压力下进行。