| 发明名称 | 半导体存储器模块及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明构思提供了半导体存储器模块及其制造方法。半导体存储器模块可包括：模块板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；存储器芯片，通过倒装芯片结合的方法直接安装在模块板上。每个存储器芯片可包括设置在每个存储器芯片的后表面上的钝化层，并且钝化层可具有与单晶硅的自然颜色不同的颜色。 | ||
| 申请公布号 | CN103378075A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201310124612.7 | 申请日期 | 2013.04.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金荣子;高濬泳;千大相 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;张军 |
| 主权项 | 一种半导体存储器模块，所述半导体存储器模块包括：模块板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；存储器芯片，通过倒装芯片结合的方法直接安装在模块板上；以及钝化层，设置在每个存储器芯片的后表面上，其中，钝化层具有与单晶硅的自然颜色不同的颜色。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||