连续成膜装置

摘要

一种连续成膜装置，具有：一对成膜辊(2)、(3)，以所卷架的基材(S)对置的方式，平行地对置配置；磁场产生构件(12)、(13)，设置在所述各成膜辊(2)、(3)的内部，以使等离子体收敛于与所述成膜辊之间的对置空间(5)相面对的辊表面附近的方式产生磁场；等离子体电源(14)，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给管(8)，对所述对置空间(5)供给成膜气体；以及真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气。所述等离子体电源(14)的一个电极与一个成膜辊(2)连接，另一个电极与另一个成膜辊(3)连接。

主权项

一种等离子体CVD装置，一边在真空室内连续地输送基材，一边在该基材的表面上形成保护膜，其中，该等离子体CVD装置具有：一对成膜辊，以被卷架在该一对成膜辊上的基材对置的方式，平行或者大致平行地对置配置；磁场产生构件，设置在所述各成膜辊的内部，并以相同极性的磁极对置的方式来配置磁极，在与所述成膜辊之间的对置空间相面对的辊表面附近，产生从该表面朝向对方侧的辊表面膨胀且剖面为两个山形的磁控管放电用的环形跑道状的磁场，激发磁控管放电；等离子体电源，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给单元，对所述对置空间供给成膜气体；以及真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气，分别设置在所述成膜辊中的磁场产生构件的磁极以如下方式配置：在设置于一个成膜辊中的磁场产生构件和设置于另一个成膜辊中的磁场产生构件之间磁力线不跨越，各个磁场产生构件形成大致闭合的磁路，以从对置空间的一方供给气体，从所述对置空间的另一方进行排气的方式，设置有所述气体供给单元和所述真空排气单元，在所述等离子体电源中，一个电极与一个成膜辊连接，另一个电极与另一个成膜辊连接。