用于制备烷氧基硅烷的方法

摘要

通过一种利用微波或RF能量的方法制备烷氧基硅烷。因而，在有适当的羟基化合物(例如醇)和催化剂存在的情况下，金属硅和铜催化剂暴露于微波照射产生相应的三烷氧基硅烷。高选择性制备希望的烷氧基硅烷，并且比传统方法所允许的温度更低，时间更短。

主权项

一种用于制备由下式表示的烷氧基硅烷的方法：HnSi(OR)4‑n其中，n是从0到2；以及其中每个R独立地为具有1到12个碳原子的直链、支链或环状烷基，其中，所述烷基任选地被至少一个烷基、烷氧基、卤素、氰基或芳基取代；所述方法包括步骤：使元素硅和由下式表示的羟基化合物接触：ROH其中，R为具有1到12个碳原子的直链、支链或环状烷基，其中，所述烷基任选地被至少一个烷基、烷氧基、卤素、氰基或芳基取代；其中，在由氯化亚铜、氧化亚铜和金属铜组成的催化剂存在下，在选自微波、射频及其组合组成的组中的非电离照射下，以及在足以形成所述烷氧基硅烷的温度、压力和时间下进行所述接触。