| 发明名称 | 浅沟槽隔离化学机械平坦化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差；在绝缘层上形成共形的保护层；化学机械平坦化绝缘层以及保护层，直至露出硬掩膜层。依照本发明的浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，通过在氧化物顶部额外施加的保护层，防止了浅沟槽区域内处于谷部的氧化物被过度移除，从而有效地提高了台阶高度的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN103377912A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210122037.2 | 申请日期 | 2012.04.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 何卫;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差；在绝缘层上形成共形的保护层；化学机械平坦化绝缘层以及保护层，直至露出硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||