发明名称 |
一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构 |
摘要 |
本发明涉及光伏电池制造技术领域,特别是一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构,以P型直拉单晶硅为基体,在P型背面场上制作SiO2薄膜,SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜,在制绒完成后进行磷源扩散,在正面制备P-N结,SiO2薄膜和SiNx薄膜在磷源扩散后并不会完全去除,保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜;或者以N型直拉单晶硅为基体,在N型背面场上制作SiO2薄膜,SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒和硼源扩散的掩膜,磷源扩散后并不会完全去除,保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。本发明的有益效果是:与现有工艺方法相比,工艺过程简单,容易控制,成本低,光电转换效率高。 |
申请公布号 |
CN102403399B |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201110217704.0 |
申请日期 |
2011.07.30 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
张学玲 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法,其特征是:以P型直拉单晶硅为基体,背面通过硼扩散制备P型背面场,在P型背面场上制作SiO2薄膜,SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜,在制绒完成后进行磷源扩散,在正面制备P‑N结,SiO2薄膜在磷源扩散后并不会完全去除,保留10‑150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |