| 发明名称 | 硅酸铪氮氧化合物制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅酸铪氮氧化合物(HfXSi1-XON)制作方法，以原子层沉积法，交互形成氮化铪(HfN)层以及氧化硅(SiOX)层，以完成所述硅酸铪氮氧化合物，其中所述硅酸铪氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之间。比起公知技术中含铪量较高的硅酸铪氮氧化合物，将本发明的硅酸铪氮氧化合物作为电容结构中的绝缘层可制作更薄，且仍有足够的介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN103377874A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210120226.6 | 申请日期 | 2012.04.23 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种硅酸铪氮氧化合物制作方法，其特征在于，包含以下步骤：(a)以原子层沉积法，形成氮化铪层；(b)以原子层沉积法，沉积氧化硅层在所述氮化铪层上；以及(c)重复以上(a)～(b)步骤，以交互沉积的方式，形成所述氮化铪层与所述氧化硅层，以完成所述硅酸铪氮氧化合物，其中所述硅酸铪氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||