一种应用于高压的P-MOSFET驱动电路

摘要

本实用新型提供一种应用于高压的P-MOSFET驱动电路，包括电源输入端、源输出端和栅输出端，所述电源输入端和所述源输出端电连接；所述驱动电路还包括后级开关电路、后级推挽电路、虚拟地电路和用于输出一个变化的电压以控制所述后级开关电路的开、关的前级控制电路；所述前级控制电路的输出端接所述后级开关电路的输入端；所述虚拟地电路的输入端接所述电源输入端，其用于对输入的电压进行降压处理后在其输出端输出一个稳定的电压；所述后级推挽电路的一个输入端接所述电源输入端，其另一个输入端接所述虚拟地电路的输出端，其控制端接所述后级开关电路的输出端，其输出端接所述栅输出端。本实用新型驱动电路寄生电容小、损耗小、效率高。

主权项

一种应用于高压的P‑MOSFET驱动电路，包括电源输入端（IN）、源输出端（Source）和栅输出端（Gate），所述电源输入端（IN）和所述源输出端（Source）电连接，其特征在于：还包括虚拟地电路（3）、后级开关电路（4）、后级推挽电路（5）和用于输出一个变化的电压以控制所述后级开关电路（4）的开、关的前级控制电路（10）；所述前级控制电路（10）的输出端接所述后级开关电路（4）的输入端；所述虚拟地电路（3）的输入端接所述电源输入端（IN），其用于对输入的电压进行降压处理后在其输出端输出一个稳定的电压；所述后级推挽电路（5）的一个输入端接所述电源输入端（IN），其另一个输入端接所述虚拟地电路（3）的输出端，其控制端接所述后级开关电路（4）的输出端，其输出端接所述栅输出端（Gate）。