| 发明名称 |
Power MOS-gated device with overcurrent and over-temperature protection |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2291743(B) |
申请公布日期 |
1996.08.28 |
| 申请号 |
GB19950016279 |
申请日期 |
1994.09.09 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
BRUNO C * NADD |
| 分类号 |
H01L27/02;H01L27/06;H03K17/08;H03K17/0812;(IPC1-7):H01L27/02 |
主分类号 |
H01L27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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