发明名称 具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法
摘要 本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构,包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面,两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构,设置在基底第一表面的一侧,应力保护结构包围应力产生元件,且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。
申请公布号 CN103378028A 申请公布日期 2013.10.30
申请号 CN201210108912.1 申请日期 2012.04.13
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种具有应力保护结构的半导体结构,其特征在于,包括:基底,具有第一表面以及第二表面,两个相对设置;应力产生元件,设置在所述基底中;以及应力保护结构,设置在所述基底的所述第一表面的一侧,所述应力保护结构包围所述应力产生元件,且所述应力保护结构内部具有密封的空气空间。
地址 中国台湾桃园县