发明名称 |
具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构,包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面,两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构,设置在基底第一表面的一侧,应力保护结构包围应力产生元件,且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。 |
申请公布号 |
CN103378028A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210108912.1 |
申请日期 |
2012.04.13 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种具有应力保护结构的半导体结构,其特征在于,包括:基底,具有第一表面以及第二表面,两个相对设置;应力产生元件,设置在所述基底中;以及应力保护结构,设置在所述基底的所述第一表面的一侧,所述应力保护结构包围所述应力产生元件,且所述应力保护结构内部具有密封的空气空间。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |