一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法

摘要

一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法，属于纳米技术领域。包括如下步骤：（1）将正硅酸乙酯加入乙醇水溶液中，向其中滴入氨水，混合均匀后，再向其中加入纳米碳粉，混合均匀；（2）凝胶化处理，所得凝胶经干燥、研磨，得到干凝胶粉末；（3）取上述干凝胶粉放入氧化铝舟中一侧，单晶硅片放入氧化铝舟的另一侧，将所述氧化铝舟放入氧化铝管中，其中所述氧化铝舟上的干凝胶粉居于氧化铝管的正，单晶硅片置于氧化铝管中的下风口处；在氩气气氛下，升温，恒温反应2~6小时，反应结束后，降至室温，在氧化铝管壁上得到碳化硅纳米线，在单晶硅片上得到纳米线阵列。本发明提供了一种简单的、反应条件可控的SiC纳米线及其阵列的制备方法。

主权项

一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法，包括如下步骤：（1）将乙醇与去离子水混合得到乙醇水溶液，向所述乙醇水溶液中加入正硅酸乙酯，然后再向其中滴入氨水，混合均匀；（2）向所述步骤（1）中混合均匀后的溶液中加入纳米碳粉，混合均匀；（3）向经所述步骤（2）混合均匀后的溶液中加入六次甲基四胺水溶液，形成凝胶，所得凝胶经干燥得到干凝胶，对所述干凝胶进行研磨，得到干凝胶粉；（4）取上述干凝胶粉放入清洗干净的氧化铝舟中一端，单晶硅片放入氧化铝舟的另一端，然后将所述氧化铝舟放入氧化铝管中；所述氧化铝舟中放置所述干凝胶粉的一端位于所述氧化铝管的中央；其中，所述单晶硅片是将（100）取向的N型单晶硅片浸入0.02～0.05mol/L的Ni（NO3）2酒精溶液中超声至少30min，然后在空气中干燥后得到的；（5）将上述氧化铝管置于真空高温烧结炉中，向所述真空高温烧结炉内以100～300sccm的流量通入惰性气体，以5～10℃/min的升温速率升温到1400～1500℃，恒温反应2～6小时，反应结束后降至室温，在所述氧化铝管壁上得到碳化硅纳米线，在所述单晶硅片衬底上得到纳米线阵列；其中，沿所述惰性气体的流动方向，所述氧化铝舟中放置所述单晶硅片的一端位于所述干凝胶粉的下风方向。