| 发明名称 | MOSFET制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOSFET制造方法，包括：在衬底上形成牺牲栅极堆叠；以牺牲栅极堆叠为掩膜，对衬底离子注入形成源漏区；在衬底以及牺牲栅极堆叠上沉积层间介质层；移除牺牲栅极堆叠，在层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽内侧壁上形成内栅极间隔壁；在栅极沟槽中形成栅极绝缘层和栅极导电层。依照本发明的MOSFET制造方法，通过在移除牺牲栅极之后形成内侧间隔壁，有效提高了高k材料和金属栅极填充率，避免了栅极间隔壁受损，提高了器件加工精度，并最终改善了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103377895A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210120924.6 | 申请日期 | 2012.04.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 何卫;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种MOS FET制造方法，包括：在衬底上形成牺牲栅极堆叠；以牺牲栅极堆叠为掩膜，对衬底离子注入形成源漏区；在衬底以及牺牲栅极堆叠上沉积层间介质层；移除牺牲栅极堆叠，在层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽内侧壁上形成内栅极间隔壁；在栅极沟槽中形成栅极绝缘层和栅极导电层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||