半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光装置及其制造方法。所述发光装置包括发光二极管(LED)，所述LED发射蓝光或紫外光并且附接到半导体构造。所述半导体构造包括再发光半导体构造，所述再发光半导体构造包含至少一层II-VI化合物，并且把发射的蓝光或紫外光的至少一部分转换成更长波长的光。所述半导体构造还包括腐蚀停止构造，所述腐蚀停止构造包含AlInAs或GaInAs化合物。所述腐蚀停止构造能够抵抗可以腐蚀InP的腐蚀剂。

主权项

一种发光装置，包括发射蓝光或紫外光的发光二极管（LED），所述发光二极管附接到半导体构造，所述半导体构造包括：再发光半导体构造，包括至少一层II‑VI化合物，所述II‑VI化合物把发射的蓝光或紫外光的至少一部分转换成更长波长的光；以及腐蚀停止构造，包括AlInAs或GaInAs化合物，所述腐蚀停止构造能够抵抗可以腐蚀InP的腐蚀剂其中所述再发光半导体构造被设置在所述发光二极管和所述腐蚀停止构造之间。