提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法

摘要

本发明公开了一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。本发明结构简单，对产品的成本并没有太大的影响，能够在不改变器件其他电学性能的前提下提高工作频率。

主权项

一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、在硅基片上生长过渡氧化层和氮化硅作为刻蚀阻挡层；步骤二、利用光刻板刻蚀出作为栅极的沟槽；步骤三、生长出沟槽表面的牺牲氧化层；步骤四、再淀积氮化硅，作为氧化时的阻挡层步骤五、将沟槽底部的氮化硅刻蚀开沟槽；步骤六、通过氧气与沟槽底部硅反应生成底部氧化层；步骤七、将氮化硅和牺牲氧化层去除，只留下底部的氧化层，所述氧化层的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。