| 发明名称 |
外延结构体的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述基底的第一外延生长面生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一第一外延层；去除所述基底及所述缓冲层，暴露出所述碳纳米管层，形成一包括所述第一外延层及所述碳纳米管层的外延衬底；以及将所述外延衬底暴露有碳纳米管层的表面作为一第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。 |
| 申请公布号 |
CN103367121A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
| 申请号 |
CN201210085270.8 |
申请日期 |
2012.03.28 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述基底的第一外延生长面生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一第一外延层；去除所述基底及所述缓冲层，暴露出所述碳纳米管层，形成一包括所述第一外延层及所述碳纳米管层的外延衬底；以及将所述外延衬底暴露有碳纳米管层的表面作为一第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
