发明名称 半导体发光装置、发光二级管阵列与其制法
摘要 本发明为一种半导体发光装置,包括基板、第一磊晶结构、第一导电层、第二磊晶结构、第二导电层、绝缘层。第一磊晶结构位于该基板上,且包含第一掺杂层、第一发光层、第二掺杂层。第一导电层耦接该第二掺杂层。第二磊晶结构包含第三掺杂层、第二发光层、第四掺杂层。第二导电层耦接该第四掺杂层。绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间。
申请公布号 CN103367576A 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201210186916.1 申请日期 2012.06.07
申请人 华夏光股份有限公司 发明人 张源孝
分类号 H01L33/08(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L33/08(2010.01)I
代理机构 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人 陈波;文琦
主权项 一种半导体发光装置,包括:一基板;一第一磊晶结构,位于所述基板上,该第一磊晶结构包含一第一掺杂层、一第一发光层、一第二掺杂层;一第一导电层耦接所述第二掺杂层;一第二磊晶结构,该第二磊晶结构包含一第三掺杂层、一第二发光层、一第四掺杂层;一第二导电层耦接所述第四掺杂层;以及一绝缘层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间。
地址 开曼群岛KY1-1104大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309