| 发明名称 | 通过氧化形成浅通孔 | ||
| 摘要 | 用于在位于半导体表面上的暴露导电通孔的顶部上构建浅凹进阱的方法以及由此形成的装置。随后用诸如氮化钽(TaN)层的导电覆盖层填充浅凹进阱，从而防止或者减少氧化，否则当暴露于空气时可能自然发生氧化或者在凸块下金属化工艺期间可能发生氧化。本发明提供通过氧化形成浅通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103367243A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210431850.8 | 申请日期 | 2012.11.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄铃雅;阮琪盛;曾建霖 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成有一个或多个外部接触焊盘和一个或多个传感器接触件；使所述一个或多个传感器接触件凹进，从而形成凹槽；在所述凹槽内形成导电覆盖层；以及在所述一个或多个外部接触焊盘上方形成外部接触件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||