形成氮氧化硅层的方法

摘要

本发明公开了一种形成氮氧化硅层的方法，所述氮氧化硅层采用原子层沉积ALD方法形成，该方法包括以下步骤：A、向沉积反应腔内的硅衬底表面通入四氯化硅SiCl4气体，在所述硅衬底表面沉积一层SiCl4层后，抽掉所述沉积反应腔内残余的SiCl4气体；B、向沉积反应腔内通入氨气NH3，然后进行抽气；以及向沉积反应腔内通入水蒸气，然后进行抽气；对步骤A和B进行N次循环，N为整数，N大于等于1。采用本发明的方法能够准确控制氮氧化硅形成过程中的氮含量。

主权项

一种形成氮氧化硅层的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层采用原子层沉积ALD方法形成，该方法包括以下步骤：A、向沉积反应腔内的硅衬底表面通入四氯化硅SiCl4气体，在所述硅衬底表面沉积一层SiCl4层后，抽掉所述沉积反应腔内残余的SiCl4气体；B、向沉积反应腔内通入氨气NH3，然后进行抽气；以及向沉积反应腔内通入水蒸气，然后进行抽气；对步骤A和B进行N次循环，N为整数，N大于等于1；对步骤A、B进行N次循环之后，执行步骤C，然后在步骤C所形成的化合物层表面形成氧化铪层；C、向沉积反应腔内通入SiCl4气体形成一层SiCl4层，然后进行抽气；向沉积反应腔内通入水蒸气，与含Si‑Cl键的所述SiCl4层结合形成含Si‑OH键的化合物层，然后进行抽气；所述步骤C循环N次，N为整数，N大于等于1。