| 发明名称 | 制造光刻掩模的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造具有碳基电荷消散(CBCD)层的光刻掩模的方法。所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上沉积不透明层，涂覆光刻胶，以及在所述光刻胶上方或者下方沉积电荷消散层。通过电子束写入图案化所述光刻胶。在对所述光刻胶进行显影期间去除所述CBCD层。本发明还公开了一种制造光刻掩模的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103365069A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210580668.9 | 申请日期 | 2012.12.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林云跃;李信昌;陈嘉仁;连大成;严涛南 |
| 分类号 | G03F1/24(2012.01)I;G03F1/68(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/24(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造光刻掩模的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成不透明层；在所述不透明层上形成光刻胶层；形成与所述光刻胶层相邻的碳基电荷消散(CBCD)层；通过电子束光刻图案化所述光刻胶层；去除所述CBCD层；以及蚀刻所述不透明层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||