| 发明名称 | 外延碳化硅单晶基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，此外，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103370454A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201280008889.7 | 申请日期 | 2012.04.20 |
| 申请人 | 新日铁住金株式会社 | 发明人 | 蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克;伊藤涉 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 周欣;陈建全 |
| 主权项 | 一种外延碳化硅单晶基板，其特征在于：是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有碳化硅外延层的外延碳化硅单晶基板，该外延层中通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的数量合计低于10个/cm2。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||