发明名称 基于MOS管的信号延迟电路
摘要 本发明公开了一种基于MOS管的信号延迟电路,包括电流源、P型MOS管PM1、N型MOS管NM1、N型MOS管NM2和正反馈电路,MOS管NM1、NM2和MOS管PM1的栅极共同与输入信号端连接,MOS管NM1的源极外接电流源,MOS管NM1的漏极通过电容C接地;MOS管PM1的源极外接电源电压,MOS管PM1的漏极MOS管NM1、NM2的漏极共同连接,为信号延迟电路的输出反向信号端;正反馈电路的输出端为信号延迟电路的输出信号端。本发明的基于MOS管的信号延迟电路,适用于输入信号对上升沿延迟时间长,对下降沿的延迟时间很短的情况,实现方便,性能好,效果佳,具有良好的应用前景。
申请公布号 CN103368536A 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201310313129.3 申请日期 2013.07.24
申请人 苏州加古尔微电子科技有限公司 发明人 刘俊杰;易金刚;董树荣;郭维;刘志伟
分类号 H03K5/13(2006.01)I 主分类号 H03K5/13(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 董建林
主权项 一种基于MOS管的信号延迟电路,其特征在于:包括电流源、P型MOS管PM1、N型MOS管NM1、N型MOS管NM2和正反馈电路,所述N型MOS管NM1、NM2和P型MOS管PM1的栅极共同与输入信号端连接,所述N型MOS管NM1的源极外接电流源,所述N型MOS管NM1的漏极通过电容C接地;所述P型MOS管PM1的源极外接电源电压,所述P型MOS管PM1的漏极与N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接,并为信号延迟电路的输出反向信号端;所述输出反向信号端为正反馈电路的输入端,所述正反馈电路的输出端为信号延迟电路的输出信号端。
地址 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇苇城南路1699号10楼