发明名称 |
同步整流自驱动电路和电路的分压方法 |
摘要 |
本发明公开了一种同步整流自驱动电路和电路的分压方法,属于电子技术领域。所述电路包括:第二电容和第三二极管,其中,所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间,所述第三二极管与所述第二电容并联,使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连,所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连;当所述第一驱动MOSFET管导通,且所述辅助绕组的同名端为正,所述辅助绕组的异名端为负时,所述第一电容和所述第二电容用于对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。 |
申请公布号 |
CN103368364A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201310252829.6 |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
华为技术有限公司 |
发明人 |
徐尚俊 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
黄厚刚 |
主权项 |
一种同步整流自驱动电路,包括第一驱动MOSFET管、第二驱动MOSFET管和倍压电路,所述倍压电路包括辅助绕组,第一电容、第一二极管和第二二极管,所述辅助绕组的同名端连接所述第一驱动MOSFET管的栅极,所述辅助绕组的异名端连接所述第一电容的一端和所述第二驱动MOSFET管的漏极,所述第一电容的另一端连接所述第一二极管和所述第二二极管,所述第一二极管的另一端接地,所述第二二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连,其特征在于,所述同步整流自驱动电路还包括:第二电容和第三二极管,其中,所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间,所述第三二极管与所述第二电容并联,使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连,所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连;当所述第一驱动MOSFET管导通,且所述辅助绕组的同名端为正,所述辅助绕组的异名端为负时,所述第一电容和所述第二电容用于对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。 |
地址 |
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