发明名称 半导体器件、其制造方法以及包括其的系统
摘要 本发明提供一种半导体器件、制造该半导体器件的方法以及包括半导体器件的系统。该半导体器件可以包括:包括第一结区和第二结区的基板;被埋在基板中的字线;设置在字线上方以交叉字线的位线;第一接触,设置在基板和位线之间并且电连接到第一结区;以及第二接触,设置在位线之间并且电连接到第二结区。第二接触的下部分与第二结区的重叠区域可以大于第二接触的上部分与第二结区的重叠区域。
申请公布号 CN103367317A 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201310110155.6 申请日期 2013.03.29
申请人 三星电子株式会社 发明人 李垣哲;金恩娥;李慈荣
分类号 H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L23/528(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张波
主权项 一种半导体器件,包括:器件隔离层,形成在半导体基板中,所述器件隔离层限定每个均包括第一结区和第二结区的有源区,至少两条相邻的字线,被掩埋在所述半导体基板中,所述至少两条相邻的字线每条均具有形成在其上并且在所述有源区上方延伸的字线盖层;多条位线,延伸跨过所述至少两条相邻的字线;第一接触,使所述第一结区和所述多条位线中的相应一条电互连;第二接触,所述第二接触的至少之一电耦接到所述第二结区的相应一个;以及分隔壁,在至少两个相邻的字线盖层之间延伸,所述分隔壁位于相邻的第二接触之间,其中至少一个所述第二接触的一部分设置在相邻的字线盖层的侧壁之间。
地址 韩国京畿道