| 发明名称 | 离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种离子注入方法，包括使用离子束冲击晶圆的步骤，所述晶圆由机械运动部件带动被所述离子束反复地全面扫描冲击，所述离子束电流为4～6.5毫安，所述晶圆被反复全面扫描冲击的次数根据所需注入的离子剂量和离子束电流大小确定。相对于传统的离子注入方法，上述离子注入方法离子束电流减小，能够保证晶圆的电阻值在正常值的可接受范围内。另外，在同样的注入剂量下，扫描注入的次数相应增加，单次干扰所带来的剂量减少对整个剂量的影响相对较小，从而晶圆不合规范的几率变小。 | ||
| 申请公布号 | CN103367126A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210087748.0 | 申请日期 | 2012.03.28 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李法涛 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种离子注入方法，包括使用离子束冲击晶圆的步骤，所述晶圆由机械运动部件带动被所述离子束反复地全面扫描冲击，其特征在于，所述离子束电流为4～6.5毫安，所述晶圆被反复全面扫描冲击的次数根据所需注入的离子剂量和离子束电流大小确定。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||