利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法

摘要

一种利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，该方法制造分立栅极闪存器件的源极部分的过程中，对源极进行回刻蚀之后，紧接着在源极表面生长外延层，以增加源极的高度，然后再进行后续的制程。本发明解决了分立栅极闪存单元在制造过程中源极高度过低的问题。

主权项

一种利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，利用该方法制造分立栅极闪存器件的源极部分的过程包含如下步骤：步骤1、沉积源极多晶硅（101）；步骤2、对源极多晶硅（101）进行回刻蚀；步骤3、移除SiN层（106）； 步骤4、对浮栅（102）进行刻蚀；其特征在于，该方法在步骤2和步骤3之间还包含以下步骤：步骤2.1、在源极多晶硅（101）上生长外延层（107），以增加源极（101）的高度。