薄膜形成设备及其使用方法

摘要

使用薄膜形成设备的方法包括在反应室内依序执行主清洗程序及后清洗程序。该主清洗程序系被安排成供应含氟的清洗气体至该反应室中，同时自该反应室中抽除气体，从而蚀刻含矽的薄膜形成副产物。该后清洗程序系被安排成移除该主清洗程序所产生且残留在该反应室内之含矽的氟化物，且被安排成交替重复数次下列步骤：供应氧化气体至该反应室中，以藉氧化将含矽的氟化物转变成中间产物，及供应氟化氢气体至该反应室中，同时自该反应室中抽除气体，以藉氟化氢气体与该中间产物之间的反应而移除该中间产物。