用于将金属氧化半导体电晶体之闸极驱动至非导电状态之电路

摘要

一种用于驱动具有负电压或低临界负电压之金属氧化半导体(MOS)电晶体之闸极之方法及电路，其中该驱动电路系形成在一单晶片上。从一正电压产生一负电压以驱动该MOS电晶体之闸极使其具有负电压。该MOS电晶体可以是原生性NMOS电晶体，而该负电压则是产生来增加该原生性NMOS电晶体之源极－汲极阻抗。另一方面，该MOS电晶体可以是PMOS电晶体，而该负电压系产生来降低该PMOS电晶体之源极－汲极阻抗。该MOS电晶体可用来做为开汲极开关或源极随耦器。