发明名称 |
近零谐振频率温度系数二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
一种近零谐振频率温度系数的二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)SiO2-xTiO2表示的材料组成,式中x的取值为0.1~0.15。本发明低温烧结二氧化硅基复合陶瓷的烧结温度可降至1150~1300℃,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 |
申请公布号 |
CN103351156A |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN201310283214.X |
申请日期 |
2013.07.05 |
申请人 |
陕西师范大学 |
发明人 |
刘鹏;胡成西;刘远 |
分类号 |
C04B35/14(2006.01)I;C04B35/46(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/14(2006.01)I |
代理机构 |
西安永生专利代理有限责任公司 61201 |
代理人 |
高雪霞 |
主权项 |
一种近零谐振频率温度系数二氧化硅基复合陶瓷,其特征在于:该复合陶瓷用通式(1‑x)SiO2‑xTiO2表示的材料组成,式中x的取值为0.1~0.15。 |
地址 |
710062 陕西省西安市长安南路199号 |