| 发明名称 | 半导体材料及其制备方法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明公开了从二聚苝化合物制备的新半导体材料。这些化合物能显示高的n型载体迁移率和/或良好的电流调节特性。另外，本发明的化合物具有特定的加工优点，例如溶液加工性和/或在环境条件下的良好稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102066373B | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN200980120293.4 | 申请日期 | 2009.05.29 |
| 申请人 | 巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司 | 发明人 | A·法凯蒂;陈志华;F·德兹;M·卡斯特勒;T·J·马克斯;颜河;郑焱 |
| 分类号 | C07D471/06(2006.01)I | 主分类号 | C07D471/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.具有下式的化合物：<img file="FSB00001041342700011.GIF" wi="1926" he="1791" />其中R<sup>b</sup>在每次出现时是直链或支化的C<sub>4-20</sub>烷基。 | ||
| 地址 | 德国路德维希港 | ||